C4凸塊（C4：Controlled Collapse Chip Connection）是覆晶構裝中長期使用的焊料製凸狀電極，形成於晶片的電極墊上，並透過回焊（加熱熔融）與基板側的接墊以自我對準方式接合。此技術源自IBM的開發，作為覆晶構裝的基礎技術而廣泛普及。
C4凸塊的直徑大約為75～125μm，與先進封裝用的細間距銅柱凸塊、微凸塊（直徑10～50μm）相比，凸塊直徑與間距都較大。其特色是熔融時的表面張力會使晶片與基板自動對準的「自我對準效應」，可放寬對構裝精度的要求。
為符合環保法規（RoHS），材料已從傳統的高鉛焊料（Sn-Pb）轉向無鉛焊料（Sn-Ag、Sn-Ag-Cu）。在FC-BGA封裝這類I/O間距相對較大的封裝中，至今仍標準使用C4凸塊（焊料凸塊）；而在要求細間距的先進2.5D／3D封裝中，則逐步改用銅柱凸塊。
凸塊形成方法有電鍍法、植球法與印刷法，覆晶構裝設備由ASMPT、Besi等廠商提供。C4凸塊接合後，接著是填充底部填充膠（underfill）以緩和熱應力、提高接合部可靠度的製程。