覆晶（Flip Chip）是將半導體晶片的電路形成面（主動面）朝下，直接安裝於基板上的連接技術。與傳統打線接合（從晶片上表面以金屬細線連接至基板）不同，覆晶是在晶片端子（焊墊）上形成稱為「凸塊」的凸起狀連接電極，與基板電極直接接合。
覆晶的最大優點是連接距離縮短所帶來的電氣性能提升。打線接合的導線長度約為數 mm～10mm，覆晶則大幅縮短至數十～數百 μm。如此可降低傳輸延遲、電感與訊號劣化，實現高速訊號傳輸（10GHz 以上）。此外，由於可在晶片整面配置端子，能大幅增加 I/O（輸入輸出）端子數。
凸塊材料有焊料凸塊（Sn-Ag、Sn-Ag-Cu）、金凸塊（Au stub bump）、銅柱（Cu Pillar）凸塊。特別是銅柱凸塊（在 Cu Pillar 上設置焊料蓋），擅長細間距化與高電流密度對應，廣泛用於先進邏輯（CPU、GPU、AI SoC）的構裝。
覆晶構裝廣泛用於 COB（Chip on Board）、FC-BGA（覆晶 BGA）封裝，並進一步發展為 CoW（Chip on Wafer）、WoW（Wafer on Wafer）等3D/2.5D 先進封裝。填充底膠（underfill，填入晶片與基板間隙的樹脂）的注入，是緩和熱應力與確保可靠度的必要步驟。
覆晶構裝設備的主要廠商為 ASM Pacific（ASMPT）、Besi、東麗工程、庫力索法（Kulicke & Soffa）等。凸塊形成設備（電鍍、濺鍍、印刷）方面，則有應用材料、東京威力科創（TEL）等提供相關設備。