重布線層（RDL：Redistribution Layer）是將晶片上I/O焊墊（打線焊墊）的位置與間距，「重新布線」到更寬間距或不同配置的薄膜金屬導線層。其結構是在矽晶圓上，以聚醯亞胺或PBO（聚苯并噁唑）等低介電常數有機絕緣膜，搭配Cu濺鍍＋電鍍形成的導線層，堆疊1～數層。
RDL不可或缺的原因，在於要解決先進邏輯晶片I/O間距（數十μm）與印刷電路板或封裝載板間距（數百μm～mm）之間的巨大落差（扇出問題）。透過RDL重新配置I/O，即使是小晶片也能確保較寬的焊墊面積，提高與載板的連接可靠度。這正是Fan-Out WLP（FOWLP）、eWLB、InFO等扇出型封裝的核心技術。
RDL的形成製程分為在晶圓級（WLP：Wafer Level Package）進行的方法，以及在面板級進行的方法。台積電的InFO（Integrated Fan-Out）是在以封膠埋入晶片後，以與晶圓製程相同的精度形成RDL，實現超越傳統打線封裝的電性表現與薄型化。蘋果的A系列晶片即採用InFO封裝。
在先進封裝中，RDL的演進方向是要求L/S（線寬/線距）在2μm以下的「細間距RDL」。這需要接近矽晶圓上FEOL（前段製程）的精度，使用專用的曝光機（i-line～DUV掃描式曝光機）、Cu電解電鍍設備與CMP平坦化設備。此外，在「橋接技術」（EMIB：英特爾、Si-Bridge：台積電）中，則將矽上的RDL用於小晶片之間的局部連線。
RDL相關的主要供應商包括：RDL形成設備（東京威力科創、Lam Research、艾司摩爾的曝光機）、銅電鍍（Enthone、MacDermid Alpha）、絕緣膜材料（住友電木、HD Microsystems）、檢測（KLA、Onto Innovation）。RDL技術的細間距化左右著整個先進封裝的效能提升。