微凸塊（Micro Bump）是用於晶片與晶片、或晶片與中介層之間電性連接的小型焊料（或金屬）凸塊。直徑通常為10～50μm，比傳統的C4凸塊（直徑100～200μm）大幅微縮。可實現高頻寬、高密度的連線，廣泛應用於2.5D/3D封裝（HBM堆疊、CoWoS、SoIC等）。
微凸塊的材料主要使用Sn系焊料合金（SnAg、SnAgCu）或Cu（Cu柱＋Sn蓋）。銅柱凸塊（Cu Pillar Bump）是在Cu柱上方覆蓋SnAg焊料的結構，在微細間距（20μm以下）下的連接可靠度高，已成為先進封裝的標準結構。
微凸塊的形成製程依序為：①RDL（重布線層）形成→②晶種層（Cu/Ti）沉積（濺鍍）→③光阻圖案化→④Cu/Sn電鍍（電解電鍍）→⑤光阻剝除→⑥晶種層蝕刻→⑦回焊（形成凸塊）。凸塊高度、直徑與間距的均勻性決定接合可靠度。
微凸塊的可靠度課題包括熱疲勞（CTE不匹配造成的反覆熱變形）、電遷移（高電流密度下的金屬原子移動）與橋接（凸塊間短路）。為克服這些問題，業界正以底部填充（填入底部填充樹脂）進行機械補強，並轉向可靠度更高的Cu混合鍵合。
微凸塊相關的設備與材料主要供應商包括：凸塊形成設備（東京威力科創、Lam Research）、覆晶接合機（ASE、Besi、Toray Engineering）、焊料材料（千住金屬、Indium Corporation）、檢測設備（KLA、Onto Innovation）。