截止頻率（Cutoff Frequency）是指電路或元件在高於該頻率時便無法充分運作的分界頻率。在濾波器或放大電路中，指輸出比通帶下降3dB（功率減半）的頻率；在只讓低頻通過的低通濾波器中，高於此頻率的訊號會被衰減。在電晶體中，電流增益（輸出電流相對於輸入電流的比值）降到1的頻率稱為截止頻率fT（轉換頻率），是代表高頻性能最具代表性的指標。
電晶體的增益在高頻下降，是因為對內部電容充電・放電需要時間。在MOSFET中，fT大致與轉導gm除以閘極電容（Cgs＋Cgd）的值成正比，可表示為fT≈gm／2π（Cgs＋Cgd）。縮短閘極長度，載子通過通道的時間會縮短，電容也會變小，因此fT隨著微縮而不斷提高。在雙極性電晶體或HBT中，主要影響因素是載子穿越基極的時間，因此基極越薄fT越高。功率增益為1的頻率稱為最大振盪頻率fmax，由於也受閘極或基極電阻影響，會與fT一併評估。
在需要高截止頻率的應用中，會依此選擇材料與結構。電子遷移率高的GaAs或InP的HEMT・HBT，以及SiGe的HBT，比矽CMOS更容易得到高fT，用於毫米波雷達、光通訊以及5G・6G無線電路，在研究階段已有超過數百GHz的fT報告。實際電路中，一般以電晶體fT的數分之1至10分之1左右的頻率使用作為參考標準，必須選擇fT遠高於使用頻率的元件。