InP（磷化銦）是由銦（In）與磷（P）組成的III-V族化合物半導體。能隙約1.34eV，屬於直接能隙型。在InP基板上可成長經組成調整而使晶格常數一致的InGaAs與InGaAsP，將這些材料組合，就能發出或接收在光纖中損耗小的波長1.3μm波段與1.55μm波段的光，這是其最大特點。
主要用途是光通訊。長距離通訊與資料中心光收發模組所使用的半導體雷射（DFB雷射、附電吸收調變器的雷射＝EML）、光檢測元件（InGaAs光二極體、APD）與光調變器，都是製作在InP基板上。在生成式 AI用的資料中心中，連接伺服器之間的800G・1.6T光收發模組需求急速增加，InP元件與基板的需求也大幅成長。在矽上製作光路的矽光子中，由於矽無法發光，光源也要搭配InP系雷射。在電子元件方面，可在超過100GHz的超高頻下運作的InP HBT與HEMT，用於次世代無線通訊與量測儀器。InGaAs也用於短波紅外線（SWIR）影像感測器。
InP單晶以VGF法或LEC法製作，但由於易碎且難以減少缺陷，晶圓以直徑2～4吋為主，目前正處於朝6吋化推進的階段。價格比GaAs與矽昂貴，基板供應集中於JX金屬、住友電氣工業等少數廠商。原料銦是主要從鋅精煉副產品中取得的稀有金屬，被列為關鍵礦物之一。