晶面方向是表示矽晶圓表面沿著哪一個晶面切出的規格，以米勒指數表示為(100)面、(110)面、(111)面等。也稱為晶圓的晶向、晶面，是左右元件特性的重要規格。
晶面方向不同，表面的原子密度、氧化速率、蝕刻速率與載子遷移率都會改變。目前的先進邏輯與記憶體主要使用(100)面晶圓，這是因為在(100)面上矽與氧化層的界面能態密度最低，可得到高品質的 MOS 界面。
晶圓上會加工平邊（orientation flat）或凹口（notch），用以表示晶面方向與導電型。此外，(111)面可沿晶面進行非等向性蝕刻，形成 V 形溝槽或垂直壁，因此被運用於 MEMS 與功率元件。晶面方向的選擇需綜合考量性能、良率與加工性來決定。