DRAM 刷新是指在記憶胞電容一點一點漏失的電荷消失之前，定期將其讀出並寫回的動作。DRAM 以有無電荷來記憶 0 與 1，但電容的電荷會因電晶體的漏電流等原因自然流失。因此，即使通著電，放著不管資料也會消失。「動態」RAM 這個名稱，就來自這種必須不斷重寫的特性。
依 JEDEC 規格，在一般溫度範圍內須於 64ms 內刷新所有列，高溫（超過 85℃）時則將間隔減半為 32ms。記憶體控制器以固定間隔發出刷新指令，DRAM 則依內部計數器依序開啟各列，以感測放大器讀出並重新寫入。刷新期間該區域無法存取，因此容量越大，對效能與功耗的負擔就越大。
為了減輕負擔，DDR5 加入了只刷新部分 bank、其他 bank 仍可運作的「同一 bank 刷新」。智慧型手機用的 LPDDR，則透過待機時由 DRAM 自行持續刷新的自我刷新，以及依溫度調整間隔的功能來壓低功耗。微縮使電容的容量變小後，能保持電荷的時間也隨之縮短，因此刷新是 DRAM 微縮的重大限制之一。
