資料保存（data retention）是表示寫入記憶體的資料，在斷電狀態下能正確保存多久的特性。在快閃記憶體等非揮發性記憶體中，規格以「85℃ 下10年」「55℃ 下1年」這樣的溫度與期間組合表示。DRAM 的情況，有時也指通電狀態下不刷新就能保持電荷的時間。
快閃記憶體的記憶胞把電子困在浮動閘極或電荷捕捉層中記錄資訊。隨著時間經過，電子會穿過絕緣膜，或沿著膜中的缺陷逃逸，使記憶胞的臨界電壓逐漸偏移。偏移超過讀出判定的範圍時，資料就會出錯。電子逃逸的速度隨溫度升高而加快，因此保存期間強烈依賴溫度。
在產品評估中，不是實際等待數年，而是放在高溫下加速劣化，再以阿瑞尼斯方程式換算成實際使用溫度下期間的加速試驗。寫入次數越多、絕緣膜越受損的記憶胞，資料保存時間越短，因此要與耐久度（endurance）一併評估。在車用微控制器內建快閃記憶體這類同時要求長期保存與高溫運作的用途中特別重要。
