Row Hammer（列錘效應）是在短時間內對 DRAM 的同一列（row）反覆開關數十萬次，使相鄰列記憶胞的電荷流失、位元反轉的現象。2014年卡內基美隆大學與 Intel 的研究人員報告在市售 DDR3 模組上確認此現象後廣為人知。因為像用鎚子不斷敲打某一列般攻擊而得名。
原因是微縮使字元線之間的間距變窄，每次開關某一列時產生的電氣影響（電荷注入或耦合）波及相鄰列的記憶胞。即使1次的影響很小，在刷新間隔（64ms）內重複多次，相鄰記憶胞的電荷就會減少到無法判讀。有報告指出，世代越新，引發反轉所需的次數（臨界值）有越小的傾向。
它不只是可靠度問題，也被證實可由軟體刻意引發以奪取權限，因此也被視為資安漏洞。對策以預先刷新常被敲擊列的相鄰列為主，DDR4 有 TRR（Target Row Refresh），DDR5 有計算存取次數並處理的 RFM（Refresh Management）等，由 JEDEC 制定。ECC 也能減少損害，但多個位元同時反轉時無法完全防止。
