承載盤是在磊晶成長設備、MOCVD設備等之中承載晶圓，接收加熱源的熱並均勻傳給晶圓的底座零件。名稱原意是「承受（susceptible）」高頻感應加熱或燈管加熱能量的部件；不是直接加熱晶圓本身，而是透過承載盤傳遞熱量，使面內溫度分布平滑化。
材質以在石墨上CVD塗覆SiC（碳化矽）者為代表。石墨的熱傳導與熱容量優異且容易加工，但直接使用會與反應氣體反應而成為碳污染源，因此以緻密的SiC塗膜封住。依用途也會使用石英、高純度SiC燒結體或AlN。
在磊晶設備中，承載盤的凹槽（放置晶圓的沉孔）形狀左右滑移（結晶缺陷）與膜厚分布。溫度梯度會因與晶圓背面的接觸狀態、旋轉機構、與氣流的平衡而改變，影響外圍的膜厚下降與自摻雜（雜質從背面繞入）。SiC磊晶與化合物半導體的MOCVD中，使用可同時承載多片晶圓的旋轉行星式承載盤。
承載盤是耗材。由於成膜物沉積、SiC塗層剝落、高溫變形等原因需要定期更換，也會進行塗層再生。沉積物的剝落碎片會成為微粒，導致滑移、霧化（haze）等晶圓品質下降，因此更換週期與清洗步驟被規定為製程管理的一環。
供應由石墨、SiC系部件廠商與設備廠商負責，隨功率半導體用SiC磊晶與化合物半導體需求擴大，市場也隨之成長。它也是決定設備生產力（每1批片數）的零件，因此與設備設計一體開發。