設備零組件・耗材用語一覽
涵蓋真空幫浦、質量流量控制器（MFC）、閥門、靜電吸盤、腔體零件、探針卡等設備零組件與耗材。這些零組件決定製程設備的性能與穩定性，定期更換的耗材也是晶圓廠運轉成本的一部分。
設備零組件・耗材的用語（33 個）
- 靜電吸盤（ESC）靜電吸盤是在真空中以靜電力將晶圓吸附、固定於載台上的陶瓷零組件。比起吸附本身，其本質功能在於將He氣體封存於晶圓背面以帶走熱量、作為「溫度控制的基礎」；面內溫差一旦超過±1℃，蝕刻…
- 聚焦環（邊緣環）聚焦環是在蝕刻設備中圍繞晶圓外圍、修正邊緣處彎曲的電漿鞘層，使離子入射角一致的環狀耗材。若沒有聚焦環，外圍晶片的孔洞會向內傾斜，導致良率下降。材質為Si、SiC或石英，會因放電逐漸…
- 噴淋頭（氣體分配盤）噴淋頭是從CVD、蝕刻設備上方，經由數百～數千個微細孔均勻噴出製程氣體的氣體分配零組件。藉由孔徑與配置來調整面內的成膜與蝕刻分布，在CCP設備中也兼作上電極。沉積造成的孔洞堵塞會破…
- 腔體內襯（沉積防護罩）腔體內襯（沉積防護罩）是覆蓋製程腔體內壁、保護腔體本體免受沉積物與電漿影響的內襯零件。設計成可連同沉積物一起拆下清洗或更換，以防止本體鋁材腐蝕。表面以氧化釔熔射或噴砂處理提高膜的附…
- 石英零組件（石英玻璃部件）石英零組件是以高純度石英玻璃加工而成的設備內部零件，例如擴散爐的爐管與晶舟、蝕刻設備的視窗與環件等。1,200℃級的耐熱性、極小的熱膨脹與ppb等級的低金屬污染，這樣的組合難以取代…
- 氧化釔熔射塗層（耐電漿塗層）氧化釔熔射塗層是將Y₂O₃成膜於腔體內部零件表面，以抑制電漿侵蝕與微粒產生的耐電漿塗層。與氟反應生成的YF₃很穩定，因此被削除的速度比氧化鋁小了好幾個數量級。近年也逐漸改用YOF、…
- 陶瓷加熱器（AlN 加熱器）陶瓷加熱器是在氮化鋁（AlN）等燒結體中埋設發熱體、用於加熱晶圓的設備零組件。AlN的熱導率為150～180W/m·K，約為氧化鋁的8倍，可抑制面內溫差。控制電阻率即可讓同一部件兼…
- 承載盤（Susceptor）承載盤（Susceptor）是在磊晶成長或MOCVD設備中承載晶圓，接收加熱源的熱並均勻傳給晶圓的底座零件。以在石墨上CVD塗覆SiC的結構為代表，凹槽形狀與旋轉機構左右膜厚分布與…
- O 形環・密封材O 形環・密封材是密封真空腔體接合部與閥門，防止洩漏與外氣侵入的彈性體零件。半導體設備同時面臨電漿、腐蝕性氣體與高溫，因此使用全氟彈性體（FFKM）等專用等級材料。劣化後表面會崩解…
- 乾式真空幫浦乾式真空幫浦是排氣室內不使用潤滑油，將腔體從大氣壓抽至數Pa的前級幫浦。原理上可排除油蒸氣回流造成的晶圓污染，因此成為半導體設備的標準，以多段魯氏式與螺桿式為主流。為防止沉積性氣體…
- 渦輪分子幫浦（TMP）渦輪分子幫浦（TMP）是以每分鐘數萬轉的多段渦輪葉片撞擊氣體分子，獲得10⁻¹～10⁻⁸Pa高真空的幫浦。與乾式幫浦串聯使用是設備的標準配置，以支撐高速旋轉的磁浮軸承實現無潤滑、低…
- 低溫幫浦（Cryopump）低溫幫浦是讓氣體凝結、吸附在冷卻至10～20K的面板上加以捕捉的儲存式真空幫浦。可動部件不暴露於排氣路徑、振動也小，因此用於PVD（濺鍍）與離子佈植設備。對水蒸氣的排氣速度特別大，…
- 真空計真空計是測量腔體與管路壓力的量測零組件。半導體製程的壓力範圍從大氣壓到超高真空跨越13個數量級，因此組合使用可量測絕對壓力的電容式壓力計、中真空用的皮拉尼真空計，以及高真空用的電離…
- 閘閥／狹縫閥閘閥（狹縫閥）是在維持真空的狀態下隔開並開關腔體之間的真空閥。在叢集式設備中，配置於Load Lock、傳送腔與各製程腔的所有邊界，界定了設備結構本身。由於每1片晶圓都要開關一次，…
- Load Lock 室（負載鎖定室）Load Lock 室是設置於大氣側與製程腔之間的中間小型真空室。只讓容積小的腔體在大氣與真空之間往返，使製程腔始終保持真空，抑制抽真空時間與水分吸附造成的製程變動。急速排氣或破真…
- 質量流量控制器（MFC）質量流量控制器（MFC）是一邊量測製程氣體的質量流量、一邊依設定值自動控制的設備。它將配方中「sccm」的數值轉換為實際氣體流量，是站在製程控制最前線的零件。熱式為主流，但ALD這…
- 氣體箱（氣體面板）氣體箱（氣體面板）是將MFC、閥件、調壓器、過濾器集中於1個機殼內，以規定的流量與壓力將多種製程氣體供應至腔體的子系統。死體積最小化與吹淨性能是設計關鍵，以減少接頭的整合式模組為主…
- 隔膜閥隔膜閥是以金屬薄膜作為閥瓣來開關流路的超高純度用閥。沒有滑動密封部，因此不產生粉塵，關閉時的死體積也極小，已成為半導體製程氣體用閥的標準形式。決定壽命的是隔膜的金屬疲勞，一旦破裂將…
- 氣體純化器・氣體過濾器氣體純化器・氣體過濾器是在設備前端（POU）最終去除製程氣體中水分、氧氣與微粒的零件。即使是管路或接頭釋出的微量水分，也會改變磊晶成長或high-k絕緣膜的界面特性，因此以吸氣材將…
- RF 電源（射頻電源）RF 電源（射頻電源）是將產生與維持電漿所需的高頻功率供應至腔體的設備零組件。標準做法是採用多頻配置，以 13.56MHz 頻段控制電漿密度、以數百kHz～2MHz 頻段控制離子能…
- 阻抗匹配器（匹配箱）阻抗匹配器（匹配箱）是讓 RF 電源的 50Ω 輸出與電漿負載阻抗一致、抑制反射波並有效輸入功率的電路。由於電漿阻抗隨時變化，基本上採用自動追隨，脈衝電漿則使用半導體式的高速匹配器…
- 遠端電漿源（RPS）遠端電漿源（RPS）是在腔體外產生電漿、只將自由基導入腔體的設備零組件。由於不帶入離子與紫外線，損傷低，最大用途是以 NF₃ 解離產生的氟自由基進行腔體清潔。分解效率高，可減少未反…
- FOSB（晶圓出貨盒）FOSB 是晶圓廠商將 300mm 晶圓出貨、運送給元件廠商所用的密閉容器。與 FOUP 同為前開式、可收納 25 片並可放上裝載埠，但用途不是晶圓廠內搬運，而是工廠間運輸，頂面為…
- 裝載埠（Load Port）裝載埠是將 FOUP／FOSB 連接到製造設備，把內部晶圓交付給設備端的介面設備。符合 SEMI 的 FIMS 標準，連同門蓋一起拉入，可在不接觸外部空氣的情況下取出晶圓。以底部吹…
- EFEM（設備前端模組）EFEM（設備前端模組）是設置在裝載埠與設備本體之間、在大氣壓下運作的潔淨搬運模組。內建傳送機械手臂、對準器與 FFU，是將內部維持在相當於 ISO Class 1～2 的微環境核…
- 孔徑光闌（Aperture）孔徑光闌（Aperture）是指置於光、電子束或離子束路徑上，限制通過範圍或角度的開口（光闌），或指具有該開口的零件。在SEM中用來限制電子束的發散以調整解析度，在電子束直寫設備中…
- 真空真空是指充滿壓力低於大氣壓之氣體的空間狀態。在半導體製造中，薄膜沉積・蝕刻・離子佈植・EUV曝光大多在真空腔體內進行，電漿製程使用0.1～數十Pa，離子佈植的束線與電子顯微鏡則使用…
- 製程腔體（Process Chamber）製程腔體是半導體製造設備中對晶圓進行薄膜沉積・蝕刻等處理的密閉容器。多數保持真空，內建靜電吸盤・噴淋頭・電極等。現今設備以在真空傳送腔周圍配置多個腔體的叢集式設備（cluster …
- 主軸（Spindle）主軸（spindle）是安裝工具並高速旋轉的旋轉主軸，在半導體領域是帶動切割機刀片與晶背研磨機砂輪的核心零組件。晶圓切割時以每分鐘3萬～6萬轉左右旋轉，為抑制偏擺，會使用以壓縮空氣…
- 基座（Pedestal）Pedestal意指「台座」，是半導體製造設備腔體內放置並支撐晶圓的台座。除了固定晶圓之外，也擔負以加熱・冷卻進行溫度控制以及作為電漿電極的角色。CVD使用內埋加熱器的陶瓷基座，蝕…
- 電子槍電子槍是使電子放出，並加以加速、聚焦而取出成電子束的裝置，是SEM、CD-SEM、電子束微影設備、電子束檢測設備、電子束蒸鍍設備的核心。分為加熱放出電子的熱游離發射型、結合加熱與電…
- 腔體預處理（Seasoning）腔體預處理（Seasoning）是在處理產品之前，先用擋片（dummy wafer）等讓蝕刻或CVD設備的腔體運轉，使內壁狀態穩定的作業。剛清潔或更換零組件後，內壁狀態不同，會發生…
- 塔燈（多層式訊號燈）塔燈（多層式訊號燈）是安裝在製造設備上，以紅、黃、綠等燈號向周圍告知運轉狀態的指示燈。又稱燈塔、PATLITE，一般紅色代表異常停機，黃色代表警告或等待處理，綠色代表正常運轉。也可…
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最後更新：2026年10月8日