電漿腔體零組件・耗材
涵蓋蝕刻與薄膜沉積設備中的聚焦環、噴淋頭、靜電吸盤、腔體內襯等零組件與耗材。這些零件長時間暴露在電漿中而逐漸消耗，其材料、耐蝕性與更換管理會影響製程穩定性與微粒發生。
比較文章（2 篇）
- 石英零件與陶瓷零件的差異（設備內部構件比較）石英零件與陶瓷零件的差異，可歸結為「透明的非晶質玻璃，還是燒結的多晶體」這項材料結構差異。石英熱膨脹極小、容易高純度化，適合擴散爐的爐管、晶舟與觀察窗。陶瓷（氧化鋁、AlN、SiC…
- 原子層蝕刻（ALE）與電漿蝕刻（RIE）的差異ALE與RIE最大的差異在於「能否藉由自我限制反應以原子層為單位進行控制」。ALE交替重複表面改質步驟與離子移除步驟，可達到0.1～數Å/循環的原子層級控制，並藉由自我限制特性獲得…
用語解說（18 個）
- 靜電吸盤（ESC）靜電吸盤是在真空中以靜電力將晶圓吸附、固定於載台上的陶瓷零組件。比起吸附本身，其本質功能在於將He氣體封存於晶圓背面以帶走熱量、作為「溫度控制的基礎」；面內溫差一旦超過±1℃，蝕刻…
- 聚焦環（邊緣環）聚焦環是在蝕刻設備中圍繞晶圓外圍、修正邊緣處彎曲的電漿鞘層，使離子入射角一致的環狀耗材。若沒有聚焦環，外圍晶片的孔洞會向內傾斜，導致良率下降。材質為Si、SiC或石英，會因放電逐漸…
- 噴淋頭（氣體分配盤）噴淋頭是從CVD、蝕刻設備上方，經由數百～數千個微細孔均勻噴出製程氣體的氣體分配零組件。藉由孔徑與配置來調整面內的成膜與蝕刻分布，在CCP設備中也兼作上電極。沉積造成的孔洞堵塞會破…
- 腔體內襯（沉積防護罩）腔體內襯（沉積防護罩）是覆蓋製程腔體內壁、保護腔體本體免受沉積物與電漿影響的內襯零件。設計成可連同沉積物一起拆下清洗或更換，以防止本體鋁材腐蝕。表面以氧化釔熔射或噴砂處理提高膜的附…
- 石英零組件（石英玻璃部件）石英零組件是以高純度石英玻璃加工而成的設備內部零件，例如擴散爐的爐管與晶舟、蝕刻設備的視窗與環件等。1,200℃級的耐熱性、極小的熱膨脹與ppb等級的低金屬污染，這樣的組合難以取代…
- 氧化釔熔射塗層（耐電漿塗層）氧化釔熔射塗層是將Y₂O₃成膜於腔體內部零件表面，以抑制電漿侵蝕與微粒產生的耐電漿塗層。與氟反應生成的YF₃很穩定，因此被削除的速度比氧化鋁小了好幾個數量級。近年也逐漸改用YOF、…
- 陶瓷加熱器（AlN 加熱器）陶瓷加熱器是在氮化鋁（AlN）等燒結體中埋設發熱體、用於加熱晶圓的設備零組件。AlN的熱導率為150～180W/m·K，約為氧化鋁的8倍，可抑制面內溫差。控制電阻率即可讓同一部件兼…
- 承載盤（Susceptor）承載盤（Susceptor）是在磊晶成長或MOCVD設備中承載晶圓，接收加熱源的熱並均勻傳給晶圓的底座零件。以在石墨上CVD塗覆SiC的結構為代表，凹槽形狀與旋轉機構左右膜厚分布與…
- O 形環・密封材O 形環・密封材是密封真空腔體接合部與閥門，防止洩漏與外氣侵入的彈性體零件。半導體設備同時面臨電漿、腐蝕性氣體與高溫，因此使用全氟彈性體（FFKM）等專用等級材料。劣化後表面會崩解…
- RF 電源（射頻電源）RF 電源（射頻電源）是將產生與維持電漿所需的高頻功率供應至腔體的設備零組件。標準做法是採用多頻配置，以 13.56MHz 頻段控制電漿密度、以數百kHz～2MHz 頻段控制離子能…
- 阻抗匹配器（匹配箱）阻抗匹配器（匹配箱）是讓 RF 電源的 50Ω 輸出與電漿負載阻抗一致、抑制反射波並有效輸入功率的電路。由於電漿阻抗隨時變化，基本上採用自動追隨，脈衝電漿則使用半導體式的高速匹配器…
- 遠端電漿源（RPS）遠端電漿源（RPS）是在腔體外產生電漿、只將自由基導入腔體的設備零組件。由於不帶入離子與紫外線，損傷低，最大用途是以 NF₃ 解離產生的氟自由基進行腔體清潔。分解效率高，可減少未反…
- 製程腔體（Process Chamber）製程腔體是半導體製造設備中對晶圓進行薄膜沉積・蝕刻等處理的密閉容器。多數保持真空，內建靜電吸盤・噴淋頭・電極等。現今設備以在真空傳送腔周圍配置多個腔體的叢集式設備（cluster …
- 電漿鞘層（Sheath）電漿鞘層是電漿與腔壁・電極・晶圓接觸的邊界所形成、電子少而正離子多的薄層。鞘層中的強電場會加速離子使其垂直入射晶圓，是非等向性電漿蝕刻的來源。以射頻偏壓控制離子能量，並在晶圓邊緣以…
- 自偏壓（Vdc）自偏壓是以射頻功率產生電漿時，在電極或晶圓上自然產生的負直流電壓（Vdc）。由於輕的電子與重的離子移動難易度不同，經由阻隔電容連接的電極會累積負電荷而產生。它決定入射晶圓的離子能量…
- 基座（Pedestal）Pedestal意指「台座」，是半導體製造設備腔體內放置並支撐晶圓的台座。除了固定晶圓之外，也擔負以加熱・冷卻進行溫度控制以及作為電漿電極的角色。CVD使用內埋加熱器的陶瓷基座，蝕…
- 德拜長度德拜長度是在可移動電荷眾多的物質中，某電荷的影響被周圍電荷抵消（屏蔽）的距離參考值。溫度越高越長，電荷密度越高越短。在半導體製造用的電漿中約為0.1mm上下，是壁面附近鞘層厚度的參…
- 腔體預處理（Seasoning）腔體預處理（Seasoning）是在處理產品之前，先用擋片（dummy wafer）等讓蝕刻或CVD設備的腔體運轉，使內壁狀態穩定的作業。剛清潔或更換零組件後，內壁狀態不同，會發生…
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最後更新：2026年10月8日