雙晶是以某個晶面為界，兩側晶體呈鏡像對稱關係相接的狀態。作為邊界的面稱為雙晶界，在矽這類鑽石結構中主要以{111}面為雙晶界。以原子面的堆疊順序來看，是原本以 ABCABC… 進行的排列，以邊界為界改以相反順序延續的狀態。
雙晶界是鍵結角度與長度紊亂小、能量低的面缺陷。因此在晶界之中，多數在電性上不活潑，已知單獨存在時對載子再結合或漏電流的影響很小。
儘管如此，在單晶矽的製造中，雙晶仍是嚴重的不良。CZ 法拉晶中若在成長界面產生雙晶，從該處以後會成長出晶向不同的區域，晶棒便不再是單晶。異物混入熔湯或溫度擾動會成為發生的契機，而發生處以後的部分無法成為產品，因此會大幅損害良率。
在化合物半導體中，有些材料的雙晶更容易成為問題。InP 等部分閃鋅礦型晶體形成雙晶所需的能量很小，長晶時容易產生雙晶，這一直是難以取得大口徑單晶的原因之一。
另一方面，在多晶材料中雙晶是常態存在的。銅導線的晶粒中會因熱處理形成許多雙晶界，由於雙晶界的原子擴散比一般晶界困難，一般認為在電遷移耐受性方面較為有利。在多晶矽中，雙晶界也是最常見的晶界之一。