電遷移（Electromigration：EM）是半導體晶片的金屬導線（主要為銅）中流過高密度電流時，金屬原子因電子的動量傳遞而往電流流動方向移動的現象。結果會在陽極側形成小丘（hillock，金屬隆起），在陰極側形成空洞（void），引起導線電阻增加・短路・斷線，是積體電路主要的可靠度劣化模式之一。
隨著導線微縮，電流密度（A/cm²）呈指數增加，電遷移風險急遽上升。主要對策有以下3種。①阻障金屬（TaN/Ta）：在銅與矽／Low-k 絕緣膜的介面設置阻障層，抑制銅原子擴散。②在銅中添加合金元素（Mn・Al 等）：在銅導線中添加微量合金元素，抑制晶界擴散。③CoWP／CoWB 選擇性覆蓋層：在導線上表面選擇性沉積鈷系合金，防止銅從上表面介面擴散。
在先進節點（5nm以下），採用背面供電網路（BSPDN）也是 EM 對策的一環。EM 的評估通常以 BHTOL 測試（高溫加速測試）進行，並使用 Black 方程式推估 MTTF（平均失效時間）。PVD 設備（阻障金屬・銅晶種層成膜）・CVD 設備（Low-k 膜）・CMP（銅平坦化）是左右抗 EM 特性的主要製程，需要設備・材料・設計三位一體的對策。