TXRF（Total Reflection X-ray Fluorescence，全反射 X 射線螢光分析）是以極小角度對晶圓表面照射 X 射線使其全反射，量測附著在表面的微量元素放出的螢光 X 射線的分析方法。在半導體工廠中，是在不破壞晶圓的情況下量測晶圓表面金屬汙染的標準方法。
以貼近表面的角度（約0.1度，小於臨界角）照射 X 射線時，X 射線幾乎不會進入晶圓內部，而是在表面全反射。因此晶圓本身產生的訊號（背景）非常小，能清楚捕捉附著在表面極少量的鐵、鎳、銅、鋅等金屬訊號。可偵測的量約為每1cm² 10⁹～10¹⁰ 個原子。
進一步提高靈敏度的方法，是以氫氟酸蒸氣溶解晶圓表面的氧化膜，把表面金屬收集到液滴中再量測的 VPD（氣相分解）-TXRF。金屬汙染會導致閘極氧化層可靠度下降與接面漏電流增加，因此在清洗後、設備啟用時，以及藥液與零組件的管理中，都會日常進行 TXRF 量測。
