清洗設備是什麼
清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。大致可分為使用化學品或超純水的濕式清洗（批次式・單片式），以及使用氣體或電漿的乾式清洗。在薄膜沉積、曝光、蝕刻等各製程前後反覆進行，據說約占全部製程步驟數的 3 成。隨著微縮（3nm/2nm 世代）與 3D 結構化的進展，需要防止微細圖案倒塌的超低損傷清洗，以及高深寬比深孔底部的精密清洗，已成為直接關係到良率提升的核心技術。
細分類 7 類
主要細分類
- •批次式清洗設備
- •乾式清洗設備
- •光阻剝除設備（濕式）
- •單晶圓清洗設備
- •晶圓乾燥設備
- •晶圓刷洗機（Scrubber）
- •濕式清洗設備
重點整理
高精度去除晶圓表面的微粒、金屬雜質、有機物等汙染物質
有濕式清洗（批次式・單片式）與乾式清洗，依用途區分使用
約占全部製造製程步驟數的 3 成，是在各主要製程前後反覆執行的非常重要的製程
防止微縮造成的圖案倒塌，以及 3D 結構深孔底部的清洗，是最先進的技術課題
相關用語
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前段製程設備的其他分類
CMP 設備
CMP（Chemical Mechanical Planarization：化學機械研磨）設備結合化學作用與機械研磨，將晶圓表面的凹凸平坦化至奈米等級，是前段製程的核心設備。
薄膜沉積設備薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。
蝕刻設備蝕刻設備是從晶圓上的薄膜去除不需要的部分、形成微細電路圖形的前段製程核心設備。
檢測設備檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。
離子佈植機離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。
曝光機曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。
光罩製造設備光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。
量測設備量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。
熱處理設備熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。