RCA 清洗是1960年代由美國 RCA 公司的 Werner Kern 等人開發的矽晶圓標準濕式清洗製程。開發至今已逾半個世紀，在包含先進晶圓廠在內的全球半導體產線中，仍廣泛作為基礎清洗方法使用。
清洗主要由2個步驟構成。SC-1（Standard Clean 1）使用氨水（NH₄OH）、過氧化氫（H₂O₂）與超純水的混合液（APM 液），加熱至約70～80℃，去除有機污染物與微粒（微細髒污）。SC-2（Standard Clean 2）使用鹽酸（HCl）、過氧化氫與超純水的混合液（HPM 液），溶解去除鹼金屬、重金屬等金屬污染。
多數情況下，會在 SC-1、SC-2 前後搭配以稀釋氫氟酸（DHF）去除 SiO₂ 自然氧化膜的步驟。如此便構成一套能系統性清除有機物、微粒、金屬、氧化膜4種污染的完整流程。
現今的先進晶圓廠以 RCA 清洗為基礎，由各公司自行最佳化清洗液組成、溫度、處理時間、兆音波（超音波）等條件來運作製程。隨著單片式（single wafer）清洗設備的普及，相較於批次式，已實現清洗均勻性的提升與交叉污染（cross contamination）的降低。
清洗設備的主要廠商為 SCREEN 控股（單片清洗全球市占第一）、東京威力科創（TEL）、SEMES（韓國）等。特別是在3nm 以下的先進製程，清洗步驟對良率的影響很大，清洗技術的重要性日益提高。