晶圓檢測設備是什麼

晶圓檢測設備（Wafer Inspection）是自動檢測晶圓表面微粒、缺陷與圖案異常的系統。透過明場、暗場光學檢測，以及以 SEM（掃描式電子顯微鏡）為基礎的檢測，高靈敏度檢測到數十 nm 等級的微小缺陷。提供製程起因的缺陷分布分析、不良原因判定與良率管理不可或缺的資料，使製造製程得以及早改善。

重點整理

以明場、暗場光學檢測高靈敏度檢測數十 nm 缺陷

以 SEM（掃描式電子顯微鏡）進行高解析度缺陷覆檢

直接關係缺陷分布分析、不良原因判定與良率管理

先進節點的微小缺陷檢測左右製造良率

運用 AI 的缺陷自動分類（ADIE）技術正逐漸普及

晶體缺陷檢測設備是檢測矽或 SiC 基板與磊晶層中 COP、差排、堆疊缺陷、BPD（基底面差排）等晶體起因缺陷的設備。

缺陷檢測設備（Defect Inspection）是以光學或電子束自動檢測晶圓表面與內部的圖案缺陷、微粒、刮傷等的系統。

電子束（EB）檢測設備是利用電子束以高解析度檢測晶圓上圖案缺陷與電性缺陷的設備。

巨觀檢測設備是以低倍率一次拍攝晶圓全面，高速檢測光阻塗佈不良、顯影不均、刮傷、崩邊（chipping）、晶圓邊緣異常等較大外觀不良的設備。

光罩檢測設備（Mask Inspection）是檢測微影所用光罩（photomask、reticle）缺陷與汙染的系統。

光學式晶圓檢測設備是利用雷射或白光，高速檢測晶圓表面異物、刮傷、晶體缺陷等的設備。

異物・微粒檢測設備是以雷射散射光檢測附著在晶圓表面的微粒與刮傷，並將尺寸與座標輸出成分布圖（map）的設備。

缺陷覆檢 SEM（Review SEM）是自動移動到缺陷檢測設備輸出的缺陷座標，以高解析度 SEM 影像逐一分類缺陷的設備。

膜厚量測設備（Thickness Metrology）是以非破壞方式精密量測晶圓上薄膜厚度與光學特性的系統。