先進半導體材料（前驅物・光罩・接合）
涵蓋薄膜沉積與蝕刻用的前驅物及特殊氣體、光罩與空白光罩、光阻，以及晶圓接合與混合鍵合用材料等。隨著元件微縮與三維化，材料的純度、特性與製程相容性對良率與性能的影響越來越大。
比較文章（1 篇）
- ALD與CVD的差異（原子層沉積 vs 化學氣相沉積）ALD與CVD最大的差異在於「是否為自我限制反應」。ALD以脈衝方式交替供應前驅物與反應氣體，每1個循環只堆積1個原子層以下（約0.3～2Å）的厚度，因此能實現Å（埃）等級的膜厚控…
用語解說（8 個）
- 光罩光罩是在微影步驟中，用來將 IC 電路圖形轉移到晶圓上光阻的原版。它是在石英玻璃等透明基板上以鉻遮光膜畫出圖形，其精度直接決定最終晶片的圖形精度。隨著微縮推進，導入了 OPC（光學…
- ALD 設備（原子層沉積設備）ALD 設備是在量產線上執行 ALD（原子層沉積）的薄膜沉積設備。每 1 個循環只能沉積約 0.3～2Å 的膜，因此方式（單晶圓式・空間分割式・批次式）的選擇會大幅左右產出量與成本…
- CVD 設備（化學氣相沉積設備）CVD 設備（化學氣相沉積設備）是執行化學氣相沉積（CVD）製程的半導體製造設備，將原料氣體導入腔體，以熱、電漿、光等能量引發化學反應，在晶圓表面均勻沉積各種薄膜材料。
- 光阻光阻是微影製程使用的感光材料。塗在晶圓上經過曝光與顯影後形成圖形，作為後續蝕刻或離子佈植的遮罩。
- EUV光阻EUV光阻是在EUV（極紫外光）微影製程中，對波長13.5nm的EUV光感光並產生化學變化的光阻材料，用於在晶圓上形成奈米尺度的電路圖案。
- 黏晶機（Die Bonder）黏晶機（Die Bonder）是將半導體晶粒（晶片）以精密定位安裝（接合）到導線架、基板或其他晶粒上的後段製程設備。
- 半導體材料半導體材料是半導體元件及其製程所使用之各種材料的總稱，涵蓋晶圓基板、薄膜沉積材料、微影材料、研磨材料、清洗藥液、封裝材料等。
- LTPS（低溫多晶矽）LTPS（低溫多晶矽）是在玻璃基板可耐受的約600℃以下所製作的多晶矽膜。以準分子雷射瞬間熔化非晶矽使其結晶（ELA），將遷移率提高到約50～200cm²/Vs。用於驅動智慧型手機…
最後更新：2026年10月8日