SiGe（矽鍺）是將矽與鍺混合而成的晶體半導體材料。改變鍺的比例，即可調整晶體的原子間距（晶格常數）與能隙，且能直接與矽的製造技術結合使用，因此從邏輯電晶體到高頻電路都被廣泛使用。鍺原子比矽大，兩者的晶格常數相差約 4%。
最具代表性的用途是以應變使電晶體高速化。在 pMOS 的源極與汲極部分以嵌入方式磊晶成長 SiGe，原子間距的差異會使通道的矽受到壓縮，電洞更容易移動，電流因此增加。英特爾（Intel）自 2003 年前後的 90nm 世代起導入量產，之後成為各世代的標準技術。在高頻領域，以 SiGe 作為基極的 HBT（異質接面雙極性電晶體）用於通訊 IC 與雷達。
在 GAA（奈米片）電晶體的製造中也不可或缺。將矽與 SiGe 的薄層交替堆疊，之後只選擇性去除 SiGe 層，就會留下懸空的矽奈米片，再以閘極包圍其周圍。能以藥液或氣體選擇性地分別蝕刻 SiGe 與矽，是製作這種結構的關鍵。也有將 SiGe 直接用於 pMOS 通道、提高電洞遷移率的技術。
