最後更新:2026年10月8日半導體材料先進半導體材料(前驅物・光罩・接合)中國大陸:LTPS(低温多晶硅)

LTPS(低溫多晶矽)是什麼

Low-Temperature Polycrystalline Silicon

LTPS(低溫多晶矽)是在玻璃基板可耐受的約600℃以下所製作的多晶矽膜。以準分子雷射瞬間熔化非晶矽使其結晶(ELA),將遷移率提高到約50~200cm²/Vs。用於驅動智慧型手機液晶與OLED顯示器畫素的薄膜電晶體。

目錄4 項
  1. 定義與原理
  2. 常見問題
  3. 相關用語
  4. 比較文章

定義與原理

LTPS(低溫多晶矽)是在玻璃基板可耐受的約600℃以下低溫所製作的多晶矽膜。主要在智慧型手機等的液晶與OLED顯示器中,作為驅動畫素之薄膜電晶體(TFT)的通道材料。

顯示器的TFT過去一直使用非晶矽,但其電子遷移率約只有1cm²/Vs,偏低,無法以小型電晶體流過大電流。LTPS由晶粒構成的多晶結構,遷移率約50~200cm²/Vs,大幅提高,因此能縮小電晶體以提高畫素開口率,或在畫面周邊一併製作驅動電路。

製造時,先以CVD在玻璃基板上形成非晶矽膜,再以短脈衝照射準分子雷射使膜瞬間熔化,在冷卻凝固時結晶。此方法稱為準分子雷射退火(ELA),由於玻璃基板幾乎不會被加熱,能在維持低溫的情況下得到多晶膜。晶粒大小與晶界的變異,會直接造成TFT特性的變異與顯示不均(mura),因此雷射照射條件的管理十分重要。

LTPS適用於高解析度、低功耗的中小型顯示器,在OLED中也採用LTPS與氧化物半導體(IGZO等)組合的LTPO架構。另一方面,由於雷射結晶設備成本高,且在大型基板上均勻結晶較困難,大型電視主要使用非晶矽或氧化物半導體。在日本,Japan Display(JDI)等廠商一直從事LTPS顯示器的生產。

在半導體製程中,電晶體閘極與3D NAND的通道也使用多晶矽,但這些是在矽晶圓上以高溫爐管或CVD製作,與在玻璃基板上製作的LTPS製法不同。

LTPS(低溫多晶矽)的常見問題

LTPS與非晶矽有何不同?
兩者的結晶狀態與電子流動的難易度不同。非晶矽的原子排列不規則,遷移率約為1cm²/Vs。LTPS由小晶粒集合而成,遷移率約50~200cm²/Vs,大幅提高,因此能縮小電晶體,並在畫面周邊製作驅動電路。代價是需要雷射結晶步驟,成本較高。
什麼是LTPO?
是在同一顯示器中組合LTPS與氧化物半導體(IGZO等)電晶體的架構。分別運用驅動電流能力高的LTPS,與關閉時漏電流極小的氧化物半導體,可降低畫面更新頻率以抑制功耗,因此用於智慧手錶與智慧型手機的OLED。

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