IGZO 是由銦（In）、鎵（Ga）、鋅（Zn）、氧（O）組成的氧化物半導體材料。其特點是即使在原子排列不規則的非晶狀態下，電子也很容易移動；2004 年，東京工業大學（現為東京科學大學）的細野秀雄等人發表了能以非晶 IGZO 製作薄膜電晶體（TFT）的成果。已作為驅動顯示器像素的電晶體實用化，目前也在研究應用於記憶體與邏輯電路。
非晶 IGZO 的電子遷移率約為 10cm²/Vs，是液晶面板長期使用的非晶矽的 10 倍以上。可在低溫下以濺鍍在大型玻璃基板上均勻製作，因此適合大型面板。另一個重要特點是關閉時流過的漏電流極小，在畫面不需改寫的期間可以讓電晶體停止，因此能降低顯示器的耗電量。
漏電流小這一點，對記憶體也很有吸引力。DRAM 因電荷會從電容漏出，需要定期刷新，但若使用 IGZO 電晶體，能長時間保持電荷，有可能大幅減少刷新次數。由於能在低溫下製作，也能疊在導線層之中製作，記憶體廠商與研究機構正將其作為 3D DRAM 與單體 3D 整合（monolithic 3D）的材料進行開發。
