IGBTメーカー7社
IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。600Vから数kVの高耐圧・大電流領域を得意とし、EVのインバータ、鉄道車両、産業用モーター駆動、太陽光・風力発電の電力変換などで使われます。複数のチップを絶縁基板に実装したパワーモジュールの形で供給されることが多く、放熱と信頼性を支える実装技術も競争力の一部です。高効率が求められる用途ではSiC MOSFETへの置き換えが進んでいます。
主要特徴
メーカー
7社の主要メーカー
欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体（IGBT・SiC MOSFET）・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。
- •パワー半導体（IGBT・SiC）で世界シェア首位
- •車載マイコン（AURIX）・車載セキュリティICの業界標準
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体（パワーモジュール）で世界トップクラス。鉄道・EV・産業・家電向けにIGBT/SiCモジュールや高周波デバイスを供給する。
- •パワーモジュールで世界トップクラス
- •鉄道・EV・産業の大電力用途に強み
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体を中核事業の一つとする。IGBTモジュールやパワーMOSFET、SiCデバイスを自社製造し、産業・EV・再エネ向けに供給する。
- •IGBTモジュールで世界有数のシェア
- •産業・EV・再エネ向けパワー半導体
パワー半導体・CMOSイメージセンサー・SiCデバイスのIDM大手。EV・ADAS・産業・5G向けに自社ファブで製造。EV向けSiCインバーターのTesla・Ford・Volkswagen向け長期サプライヤー。
- •SiC MOSFET・ダイオードでWolfspeedに次ぐシェア
- •CMOSイメージセンサーで車載・産業向けに強み
フランス・イタリア合弁で設立された欧州大手半導体メーカー。STM32マイコン・SiCデバイス・MEMS・イメージセンサで車載・産業・IoT向けにリーダーシップ。
- •STM32マイコンで組み込み市場の業界標準ポジション
- •SiCパワーデバイスで世界第2〜3位
東芝グループの半導体IDM。パワーMOSFET・IGBT・ディスクリート、ロジック、フォトカプラなどを自社製造し、車載・産業・民生機器に供給する。
- •パワーMOSFET・ディスクリートで高いシェア
- •車載・産業向けの高信頼デバイス
パワー半導体・SiCデバイス・LED・抵抗器の総合半導体IDM。日本でSiC事業を早期に強化し、EV・産業機器向けSiC MOSFETで国際競争力を持つ。1951年京都創業で、現在はグローバルに事業展開。
- •SiC MOSFETで日本国内トップ、世界でも上位シェア
- •抵抗器・LEDなど電子部品と半導体の一体提案