SiCパワーデバイスメーカー9社
SiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。絶縁破壊電界が高いため同じ耐圧をより薄い層で実現でき、オン抵抗とスイッチング損失をシリコンより大きく下げられます。高温動作にも強く、EVのメインインバータや車載充電器、急速充電器、太陽光発電の電力変換で採用が拡大しています。基板となるSiCウェハの品質とコストが普及の鍵で、基板から素子まで一貫生産する企業が強い分野です。
主要特徴
メーカー
9社の主要メーカー
SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの世界最大手メーカー。EV・太陽光・産業用インバーター向けSiC MOSFETとSiCウェハを一貫製造。旧Cree社のパワー・RF半導体事業が独立し、200mmウェハへの移行を先行している。
- •SiCウェハからデバイスまで垂直統合
- •200mm SiCウェハの量産化を業界で先行
欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体（IGBT・SiC MOSFET）・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。
- •パワー半導体（IGBT・SiC）で世界シェア首位
- •車載マイコン（AURIX）・車載セキュリティICの業界標準
フランス・イタリア合弁で設立された欧州大手半導体メーカー。STM32マイコン・SiCデバイス・MEMS・イメージセンサで車載・産業・IoT向けにリーダーシップ。
- •STM32マイコンで組み込み市場の業界標準ポジション
- •SiCパワーデバイスで世界第2〜3位
パワー半導体・CMOSイメージセンサー・SiCデバイスのIDM大手。EV・ADAS・産業・5G向けに自社ファブで製造。EV向けSiCインバーターのTesla・Ford・Volkswagen向け長期サプライヤー。
- •SiC MOSFET・ダイオードでWolfspeedに次ぐシェア
- •CMOSイメージセンサーで車載・産業向けに強み
パワー半導体・SiCデバイス・LED・抵抗器の総合半導体IDM。日本でSiC事業を早期に強化し、EV・産業機器向けSiC MOSFETで国際競争力を持つ。1951年京都創業で、現在はグローバルに事業展開。
- •SiC MOSFETで日本国内トップ、世界でも上位シェア
- •抵抗器・LEDなど電子部品と半導体の一体提案
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体（パワーモジュール）で世界トップクラス。鉄道・EV・産業・家電向けにIGBT/SiCモジュールや高周波デバイスを供給する。
- •パワーモジュールで世界トップクラス
- •鉄道・EV・産業の大電力用途に強み
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体を中核事業の一つとする。IGBTモジュールやパワーMOSFET、SiCデバイスを自社製造し、産業・EV・再エネ向けに供給する。
- •IGBTモジュールで世界有数のシェア
- •産業・EV・再エネ向けパワー半導体
東芝グループの半導体IDM。パワーMOSFET・IGBT・ディスクリート、ロジック、フォトカプラなどを自社製造し、車載・産業・民生機器に供給する。
- •パワーMOSFET・ディスクリートで高いシェア
- •車載・産業向けの高信頼デバイス
自動車部品の大手で、車載用の半導体を自社で開発・製造している。インバーター向けのIGBTやSiCパワー半導体、各種センサー、マイコンなどを手がけ、TSMCの日本子会社JASM（熊本）にも出資している。
- •電動車のインバーター向けSiC・IGBTパワー半導体
- •車載センサーと制御用半導体の内製