富士電機

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。

SiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。

パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。

SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド（SiC）を基板材料とするパワーデバイス（SiC-MOSFET・SiC-SBDなど）の製造に特化した装置群です。