パワーデバイスメーカー8社Power Device
パワーデバイスは、電力の変換や制御に使う半導体素子で、数十Vから数kVの電圧と大電流をスイッチングします。低〜中耐圧で高速動作に向くパワーMOSFET、高耐圧・大電流に向くIGBT、シリコンより損失の小さいSiC・GaNといったワイドバンドギャップ半導体が主な製品群です。EVのインバータや車載充電器、太陽光発電のパワーコンディショナ、データセンターの電源、鉄道・産業用モーター駆動など、電動化と省エネの中心にあります。ロジックとは違い、耐圧と損失のトレードオフを素子構造と材料で解くのが技術の焦点です。
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GaNパワーデバイスは、窒化ガリウム（GaN）で作った高電子移動度トランジスタ（HEMT）をスイッチング素子として使うパワーデバイスです。
メーカー 6 社IGBTIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。
メーカー 7 社パワーMOSFETパワーMOSFETは、ゲート電圧で大きな電流をオン・オフするスイッチング素子で、数十Vから数百Vまでの低〜中耐圧領域で最も広く使われるパワーデバイスです。
メーカー 8 社SiCパワーデバイスSiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。
メーカー 9 社重要ポイント
メーカー
8社の主要メーカー
欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体（IGBT・SiC MOSFET）・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。
- •パワー半導体（IGBT・SiC）で世界シェア首位
- •車載マイコン（AURIX）・車載セキュリティICの業界標準
- •SiCパワーデバイスのEV・再エネ向け急成長
パワー半導体・CMOSイメージセンサー・SiCデバイスのIDM大手。EV・ADAS・産業・5G向けに自社ファブで製造。EV向けSiCインバーターのTesla・Ford・Volkswagen向け長期サプライヤー。
- •SiC MOSFET・ダイオードでWolfspeedに次ぐシェア
- •CMOSイメージセンサーで車載・産業向けに強み
- •自社ファブによる垂直統合と安定供給
フランス・イタリア合弁で設立された欧州大手半導体メーカー。STM32マイコン・SiCデバイス・MEMS・イメージセンサで車載・産業・IoT向けにリーダーシップ。
- •STM32マイコンで組み込み市場の業界標準ポジション
- •SiCパワーデバイスで世界第2〜3位
- •MEMSセンサ（加速度・ジャイロ）で世界トップシェア
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体（パワーモジュール）で世界トップクラス。鉄道・EV・産業・家電向けにIGBT/SiCモジュールや高周波デバイスを供給する。
- •パワーモジュールで世界トップクラス
- •鉄道・EV・産業の大電力用途に強み
- •SiC・GaNなど次世代パワーを推進
日本の総合電機メーカーで、パワー半導体を中核事業の一つとする。IGBTモジュールやパワーMOSFET、SiCデバイスを自社製造し、産業・EV・再エネ向けに供給する。
- •IGBTモジュールで世界有数のシェア
- •産業・EV・再エネ向けパワー半導体
- •SiCなど次世代パワーデバイスを開発
東芝グループの半導体IDM。パワーMOSFET・IGBT・ディスクリート、ロジック、フォトカプラなどを自社製造し、車載・産業・民生機器に供給する。
- •パワーMOSFET・ディスクリートで高いシェア
- •車載・産業向けの高信頼デバイス
- •設計から製造まで持つIDM体制
パワー半導体・SiCデバイス・LED・抵抗器の総合半導体IDM。日本でSiC事業を早期に強化し、EV・産業機器向けSiC MOSFETで国際競争力を持つ。1951年京都創業で、現在はグローバルに事業展開。
- •SiC MOSFETで日本国内トップ、世界でも上位シェア
- •抵抗器・LEDなど電子部品と半導体の一体提案
- •EV・産業向けに自社ファブで安定供給
SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの世界最大手メーカー。EV・太陽光・産業用インバーター向けSiC MOSFETとSiCウェハを一貫製造。旧Cree社のパワー・RF半導体事業が独立し、200mmウェハへの移行を先行している。
- •SiCウェハからデバイスまで垂直統合
- •200mm SiCウェハの量産化を業界で先行
- •EV・再生エネルギー向けで業界トップシェア