銻（Antimony，元素符號Sb）是原子序51的15族（5族）元素，在矽中作為形成n型半導體的施體（n型摻雜物）使用。與磷、砷同為施體，但原子更重（原子量約122），特點是在矽中擴散非常慢。
活用這種慢擴散特性的代表性用途，是磊晶晶圓的低電阻n型基板（n⁺基板）。在功率MOSFET等使用的n/n⁺結構磊晶晶圓中，若在成長磊晶層的高溫製程中雜質從基板滲出，磊晶層的電阻就會偏離設定值。擴散慢的銻較少發生這種滲出（自動摻雜或外擴散），因此被用作基板的摻雜物。不過，銻在矽中可溶入的量（固溶度）小，加入銻的基板電阻率下限約為0.01Ω·cm，需要更低電阻時則使用加入砷或紅磷的基板。銻過去也用於雙極性電晶體與BiCMOS的埋入層（n⁺埋入層）。
銻也是化合物半導體的構成元素，InSb（銻化銦）用於紅外線感測器，GaSb則用於紅外線元件的基板。在相變化記憶體中，Ge₂Sb₂Te₅（GST）等含銻合金是記錄材料；在無鉛焊料中，也用於高溫用的Sn-Sb系合金。銻的生產集中於中國，2024年中國將其列為出口管制對象後，其作為關鍵礦物的供應風險受到關注。