Centris Spectral SiN ALD的特點與規格

Centris Spectral SiN ALD 是應用材料的氮化矽（SiN）ALD 設備。目標是在因微縮而變得複雜的 3D 結構中，於有限的熱預算內均勻沉積高品質的絕緣膜。

結合直接式高密度微波電漿 Nimbus 與真正的空間分割式 ALD。即使在低溫下也能製作緻密的 SiN 膜，在高深寬比結構中膜層也能良好包覆。藉由壓低離子能量並最佳化自由基供應，也能減少電漿造成的損傷。

可製作蝕刻耐受性與電氣特性優異的極薄膜。以具備多個基座的高產能架構，也解決了以往單片式 ALD 的生產力課題。