Centura iSprint SSW（Seam Suppressed Tungsten）是應用材料的鎢（W）ALD／CVD 設備。以鎢填充接觸窗等孔洞時，傳統 CVD 容易使孔口先封閉，而產生接縫（seam）或空洞。
iSprint SSW 採用在孔口容易封閉的位置抑制鎢成長的處理，使鎢由底部優先成長。藉此抑制對電阻與良率造成不良影響的接縫與空洞。
亦可因應高深寬比與孔口收窄形狀的結構，在邏輯與記憶體的廣泛用途中，維持量產生產力的同時滿足填充要求。
Centura iSprint SSW ALD/CVD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・CVD 設備
在鎢填充中抑制接縫（seam）與空洞的 ALD／CVD 設備。使 W 由底部優先成長。
產品概要
主要規格
| 方式 | ALD／CVD（抑制接縫的鎢） |
|---|---|
| 特點 | 以抑制開口處成長的處理，使 W 由底部成長 |
| 主要用途 | 邏輯・記憶體的接觸窗填充 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
抑制接縫・空洞的 W 填充
由底部優先成長
支援高深寬比結構
主要用途
- 邏輯・記憶體的接觸窗
- 高深寬比的 W 填充
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
所屬設備分類
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