Centura DXZ CVD 是應用材料適用 150mm・200mm 的 CVD 設備。可因應先進 CMOS 與 More than Moore（MtM）領域所要求的 20µm 以上超厚氧化膜、低於 200℃ 的低溫處理、濕式蝕刻速率低的共形薄膜，以及可調整折射率的摻雜薄膜等。
具備 TEOS、矽烷系氧化膜、氮化膜、Low-k、應變控制薄膜，乃至微影用薄膜等廣泛的製程。可安全處理包含 SiC 晶圓在內的各種 MtM 基板。
採單晶圓・多腔體架構，3,000Å 的 PE TEOS 與電漿矽烷處理量最高 80 wph，2,000Å 的 SACVD USG 最高 35 wph。以零耗材零件的製程套件與小腔體容積降低擁有成本。