SPM 清洗（Sulfuric Acid and Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸過氧化氫混合液清洗）是使用濃硫酸（H₂SO₄）與過氧化氫（H₂O₂）混合而成的清洗液（也稱為食人魚溶液），去除晶圓表面有機物、光阻殘留與金屬汙染的清洗製程。在曝光、蝕刻後的去光阻工程中被標準使用，是半導體製造清洗工程中處理液用量最多的清洗方法之一。
SPM 清洗的原理在於強氧化作用。H₂SO₄ 與 H₂O₂ 混合時產生的過氧單硫酸（Caro's acid：H₂SO₅）可瞬間氧化分解有機物，連光阻的主要成分（酚醛樹脂・PAC）以及硬烤後碳化的光阻都能去除。處理溫度標準為 120～150℃，溫度越高，反應速度與清洗效率越好。處理後接著以 UPW（超純水）沖洗並乾燥（旋轉乾燥・IPA 蒸氣乾燥）。
先進製程中 SPM 清洗的課題是圖形倒塌與金屬汙染。在 3nm 以下的 FinFET・GAA 中形成了高深寬比的微細結構，SPM 清洗後沖洗與乾燥時因表面張力造成的圖形倒塌（Pattern Collapse）已成為問題。對策方面，正在研究超臨界 CO₂ 乾燥、IPA 置換乾燥、冷凍乾燥等方法。此外，硫酸中的金屬（Fe・Cu・Na 等）汙染會影響元件特性，因此必須使用超高純度硫酸（金屬濃度 ppb 等級以下）。
SPM 清洗設備分為單晶圓式與批次式。單晶圓式（single wafer）的主要供應商是 SCREEN、TEL、LAM，透過逐1片處理，將藥液的帶入與帶出降到最低，在先進節點的汙染管理方面表現優異。批次式一次處理多片晶圓，產能高，多用於重視生產力的成熟節點。隨著環保法規趨嚴，降低 H₂SO₄ 用量與回收再利用（SPM 回收系統）也逐漸導入。
在清洗化學品市場中，SPM 用的超高純度硫酸與過氧化氫具有穩定的需求。三菱化學、Stella Chemifa、關東化學、BASF、Entegris 是主要供應商。在先進節點，每1批次的化學品成本持續上升，SPM 化學品再生利用（closed-loop recycling）系統的普及，對晶圓廠降低環境負荷與成本都有貢獻。