水痕是清洗後乾燥不完全、殘留於晶圓表面的水滴蒸發之際，其中溶入的矽成分或雜質析出而殘留的環狀・斑點狀缺陷。在表面檢測設備中呈現為數μm至數十μm的污斑，若在其上進行薄膜沉積或曝光，會引起圖形不良或薄膜附著不良。
其產生機制在於經 DHF 清洗等形成氫終端的疏水性矽表面、水滴以及溶解氧三者的組合。水滴邊緣在持續蒸發的同時也持續供應氧，使矽局部氧化成 SiO₂，再溶於水中以矽酸形式濃縮。最後水完全蒸發時，這些濃縮成分便以環狀析出殘留。
因此對策可整理為3個方向。①不殘留水滴（以馬蘭哥尼乾燥・IPA 乾燥在不產生液滴的情況下乾燥）、②減少溶解氧（使用脫氣的超純水，並在氮氣氣氛中處理）、③不讓表面維持疏水性（DHF 處理後以氧化性藥液親水化後再乾燥）。實務上會組合運用這些對策。
由於疏水面愈容易發生，水痕在閘極形成前的預清洗、磊晶成長前處理等以 DHF 去除原生氧化層之後的製程中特別成為問題。這些製程中，從清洗到下一處理的等待時間（Q-time）也會設定得較短，超時的晶圓會送回重新清洗。
檢測一般以雷射散射式表面檢測設備，將水痕以分布圖（map）的形式檢出。從集中於晶圓外周、或沿特定角度方向排列等分布圖的型態，可推定乾燥噴嘴位置或旋轉條件等發生源。