雙閘極（Dual Gate）在半導體的脈絡中主要有2種意思。第1種是在1顆晶片中分別製作不同膜厚的閘極氧化層，或不同功函數之閘極材料的製造技術（雙閘極氧化層、雙功函數閘極）。另1種是以2個閘極從上下或兩側夾住通道的電晶體結構（雙閘極，double gate）。
雙閘極氧化層用於像CPU或SoC這樣，需將高速低電壓的內部電路與處理高電壓的輸入輸出（I/O）電路放在同一顆晶片上的情況。內部電路需要薄氧化層，I/O電路則需要能確保耐壓的厚氧化層，因此先在整面形成氧化層，再以微影只在要變薄的區域開口並去除氧化層，然後再次氧化，做出2種厚度。分別製作3種膜厚時，則稱為三閘極氧化層（triple gate oxide）。
雙功函數閘極是為nMOS與pMOS分別使用不同功函數閘極材料的技術。要讓兩者的臨界電壓都達到適當值，nMOS需要接近導帶、pMOS需要接近價帶的功函數閘極。在多晶矽閘極時代，是以分別進行n型與p型摻雜來實現；在High-k/金屬閘極世代，則分別製作nMOS用與pMOS用的功函數金屬。
作為結構的雙閘極電晶體，以2個閘極夾住通道，比只以1個閘極控制的平面型更能抑制短通道效應。將通道做成薄板狀、從兩側以閘極夾住的FinFET，就是將此概念立體化的結構，進一步從4個方向包圍的則是GAA（閘極全環繞）。
此外，高頻用的雙閘極MOSFET（具有2個串聯閘極，用於混頻器與增益控制），以及顯示面板薄膜電晶體（TFT）中上下都有閘極的結構等，也稱為雙閘極。必須依上下文判斷是哪種意思。