GAA（Gate-All-Around）電晶體是閘極電極從四個方向全部包圍通道的立體電晶體結構。FinFET的閘極是從三個方向包圍通道（Tri-gate），而GAA則是由閘極完全包覆奈米片或奈米線狀的通道。藉此可進一步抑制短通道效應，兼顧降低漏電流與提升驅動電流。
三星於2022年在3nm世代以MBCFET（Multi-Bridge Channel FET）之名全球首度量產；英特爾在Intel 20A/18A以RibbonFET之名採用；台積電則在N2節點（2025年開始量產）量產nanosheet GAA。由於可透過奈米片的堆疊片數調整通道寬度，其特點是能在設計階段彈性最佳化效能與功耗之間的取捨。
在GAA製造中，於SiGe/Si交替堆疊的磊晶成長後，以選擇性蝕刻形成奈米片的Inner Spacer製程是核心技術。以ALD設備進行閘極絕緣膜的共形覆蓋，以及以ALE進行高精度蝕刻不可或缺。作為GAA之後的次世代架構，CFET（Complementary FET）與Forksheet FET的研究也在進行中。