充電效應（Charge-up）是指由電漿・離子束・電子束等帶來的電荷，在絕緣物或晶圓表面無處可逃而累積、使表面帶電的現象。在半導體製造中，電漿蝕刻、離子佈植、以電子顯微鏡（SEM）進行觀察・量測這3個場合特別容易成為問題。累積的電荷會產生電場，使飛來的離子或電子軌道彎曲，或破壞薄的絕緣膜。
在電漿蝕刻中，由於電子與離子運動方式不同，高深寬比孔洞或溝槽的底部會帶電。電子因熱運動而方向分散，容易被細孔側壁的上部捕獲；而幾乎垂直入射的離子能到達底部，因此孔洞上部帶負電、底部帶正電（電子遮蔽效應）。底部的正電荷會排斥並偏折後續入射的離子，引起蝕刻停止、形狀紊亂，以及底部邊角被橫向蝕刻的缺口（notching）。此外，若聚集在導線或閘極電極上的電荷穿過閘極氧化層流動，氧化層會劣化而降低可靠度（電漿損傷、天線效應）。
在離子佈植中，持續植入正離子會使晶圓上的光阻或絕緣膜帶正電，可能因放電而破壞薄的閘極氧化層。因此佈植機配備電漿電子槍（plasma flood gun，電子淋浴），對晶圓照射低能量電子以抵消電荷。在SEM中，觀察的絕緣物若被電子束充電，影像會異常變亮或發生漂移，造成CD-SEM尺寸量測的誤差。可透過降低加速電壓、調整掃描方式、鍍上導電膜等方法抑制充電。