終點偵測（Endpoint Detection）是在蝕刻或研磨（CMP）等去除類製程中，即時偵測目標層去除完成的瞬間（終點），並自動停止或切換製程的量測與控制技術。它可防止過度蝕刻或研磨不足造成的良率下降，是提高製程再現性與精度不可或缺的技術。
蝕刻步驟中終點偵測的主要手法，是以OES（Optical Emission Spectroscopy：光學發射光譜）監測發光強度。電漿中蝕刻副產物的發光光譜會隨膜層切換而改變，因此可將特定波長發光強度的急遽變化作為終點訊號。例如在SiO₂蝕刻中，CO或CO₂的發光會在結束時急遽減少。
在CMP步驟中，會結合摩擦力（馬達扭矩）、光反射率（臨場光學感測器）與渦電流感測器進行終點偵測。在銅CMP中，反射率的急遽變化代表銅膜已完全去除，之後便自動切換為阻障金屬蝕刻模式。科磊與Onto Innovation在這類臨場（in-situ）量測系統上擁有很高的技術實力。
在應用於先進製程時，由於對象是10nm以下的超薄膜，提高偵測的訊雜比（S/N比）成為課題。此外，原子層蝕刻（ALE）每1個循環的去除量在0.1nm以下，傳統的終點偵測解析度不足。因此，結合QCM（石英晶體微天平）與反射光譜法等更高靈敏度的手法正在研究中。
終點偵測與製程控制（APC：Advanced Process Control）系統整合後，可用於即時修正晶圓間、批次間製程變異的回饋控制。結合製造AI可望提升偵測精度與反應速度，科林研發與應用材料已將設備內建的智慧感測功能納入產品中。