電漿光學發射光譜（OES：Optical Emission Spectroscopy）是以分光儀將電漿發出的光依波長分開量測，調查電漿中有哪些原子或分子、各有多少的方法。電漿中的原子與分子與電子碰撞後進入高能量狀態，回到原狀態時會發出依種類而定的固定波長的光。因此只要觀察光譜，就能得知電漿中的成分。
在半導體製造中最常見的用途是乾式蝕刻的終點偵測。例如在蝕刻氧化膜時，源自被削除膜層成分（一氧化碳等）的光會很強。膜層削除完畢、下層露出後，該光變弱，另一種成分的光變強。捕捉這項變化，即可決定停止蝕刻的時機。只需從設備的視窗取出光線，就能在不接觸晶圓的情況下即時監控。
開口面積小的圖形，被削除的量少、光的變化也很微小，因此會使用以統計方式分析多個波長變化來找出終點的手法。此外，OES 的資料也用於捕捉腔體狀態的變化（壁面附著物增加或腔體預處理的進展程度）、零組件劣化與異常放電的徵兆，並作為以推估取代量測結果的虛擬量測，以及設備預測性維護的資料。
