差排密度（Dislocation Density）是表示晶體中所含差排（線狀晶體缺陷）多寡的數值，一般以貫穿單位面積的差排條數（個/cm²）表示。求取差排密度的代表性方法，是以特定化學液蝕刻晶體，計數只有差排露出表面處會快速溶解而形成的小凹坑（蝕刻坑），以此求得的數值稱為蝕刻坑密度（EPD：Etch Pit Density）。
差排所在位置的原子排列紊亂而產生應變，因此在化學上比周圍更容易溶解。每種晶體都有選擇性溶解差排位置的化學液（選擇性蝕刻液），例如SiC使用熔融的氫氧化鉀（KOH）。從蝕刻坑的形狀與大小，也能辨別差排的種類（螺旋差排、刃狀差排、基面差排等）。以顯微鏡計數凹坑數再除以面積即得EPD，並將整片晶圓的分布繪成分布圖來評估晶體品質。作為非破壞性觀察差排的方法，也會使用X光形貌術（X-ray topography）。
差排密度因基板材料而有很大差異。矽單晶可藉由縮頸（necking）等技術，製成幾乎不含差排的狀態。另一方面，GaAs、InP等化合物半導體容易產生差排，密度會隨長晶方式而改變，目前以可減小溫度梯度的垂直布里奇曼法等製作低差排密度的晶體。在SiC基板中，減少會導致元件劣化的基面差排等是一大課題；而在不同材料基板上成長的GaN膜，由於晶格不匹配，差排密度會非常高。差排會導致漏電流增加與元件壽命降低，因此是基板的重要品質指標。