GaAs（砷化鎵）是由鎵（Ga）與砷（As）組成的13-15族（III-V族）化合物半導體。室溫下的能隙約1.42eV，屬於直接能隙型，電子遷移率約8,500cm²/V·s，約為矽的6倍。憑藉這2項特性，GaAs一直被用於高頻運作的電晶體與發光元件兩方面。
高頻用途的代表，有智慧型手機發射用的功率放大器（GaAs HBT）、天線開關（pHEMT），以及衛星通訊與雷達的放大器。GaAs與AlGaAs的晶格常數幾乎相同，容易形成優質的異質接面，能充分發揮HEMT與HBT的性能。在光學用途方面，利用其直接能隙、發光效率高的特點，用於紅外線LED、CD與DVD用的半導體雷射，以及臉部辨識與資料通訊用的垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）。在太空用多接面太陽能電池中，GaAs也是核心材料。
GaAs單晶是以液封柴可拉斯基法（LEC法）或垂直梯度凝固法（VGF法）製作，晶圓以直徑150mm（6吋）以下為主。其弱點是比矽易碎、熱導率低至約3分之1，以及無法形成優質的絕緣膜（氧化膜）而難以製作MOSFET，因此電晶體是以蕭特基閘極的MESFET或HEMT形式製作。元件製造少不了以MOCVD或MBE進行的磊晶成長。由於含砷，加工廢料與廢液的處理也需注意。主要的基板廠商有住友電氣工業等，元件方面有Skyworks、Qorvo，晶圓代工則以穩懋（WIN Semiconductors）等為人所知。