光罩檢測是檢出微影步驟所使用之光罩（reticle）缺陷的檢測步驟。光罩是電路圖形的原版，光罩上的缺陷會轉印到晶圓上，成為大量晶片不良的原因，因此要求極高的品質管理。光罩檢測在光罩製造後的最終檢測，以及產線使用期間的定期檢測中都會實施。
光罩檢測設備有晶粒對資料庫（die-to-database）檢測與晶粒對晶粒（die-to-die）檢測2種主要方式。晶粒對資料庫檢測是比對設計資料（CAD 資料）與實際光罩圖形以檢出缺陷。此方式在理論上是能檢出所有缺陷的最確實方法，但檢測時間較長。晶粒對晶粒檢測是將同一光罩上多個相同圖形（晶粒）互相比對以檢出差異的方法，可進行高速檢測。
在先進製程中，由於光罩圖形微縮與 EUV 技術導入，光罩檢測的技術難度日益提高。特別是 EUV 光罩為反射式，具有多層膜結構，需要不同於傳統穿透式光罩的檢測技術。此外，對於相位移光罩或施加了 OPC（光學鄰近效應修正）的光罩，單純的圖形比對並不足夠，需要能預測實際晶圓轉印結果的先進檢測演算法。