CMP 後清洗是在 CMP（化學機械研磨）之後立即從晶圓表面去除殘留研磨液與研磨碎屑的清洗製程。CMP 是一面大量供應奈米尺寸磨粒一面研磨的製程，研磨結束時晶圓表面覆蓋著磨粒、被削下的金屬離子以及研磨墊的磨耗碎屑。若無法確實去除，CMP 所得到的平坦性本身就會轉變為缺陷。
困難之處在於去除對象是「以化學方式附著的無機奈米粒子」。二氧化矽或氧化鈰磨粒與晶圓表面有很強的交互作用，單純沖洗無法剝除。因此，結合 PVA 刷的物理刮除，以及控制微粒與表面帶電狀態的藥液（使界達電位同號而靜電相斥），是基本策略。
藥液依研磨對象區分使用。氧化膜 CMP 後，以稀氨水等鹼性藥液使微粒與表面都帶負電而相斥；銅 CMP 後，則以含檸檬酸等錯合劑的藥液使銅離子溶解，同時去除苯并三唑（BTA）等腐蝕抑制劑的殘留物。銅表面為避免腐蝕與碟形凹陷（dishing）再度發生，pH 與氧化劑的管理特別嚴格。
處理一般在整合於 CMP 設備中的清洗模組進行，研磨、刷洗、Megasonic 或二流體清洗、沖洗到乾燥，全部在1台設備內完成。之所以採用研磨後讓晶圓保持濕潤狀態交給下一製程的「濕式交接（wet handoff）」，是因為一旦乾燥，殘留研磨液就會固著而再也無法去除。
若 CMP 後清洗不充分，殘留磨粒會在後續薄膜沉積中造成孔洞（void）或附著不良，殘留金屬離子則會在絕緣膜中擴散，引發漏電或可靠度不良。這就是為什麼有人說 CMP 的良率不僅取決於研磨本身，也取決於這道善後處理的品質。