Reflexion LK CMP 是應用材料的 300mm CMP 平台。採用以3個研磨盤依序研磨的逐次研磨方式，針對3步驟 CMP 最佳化。作為革新研磨・清洗・乾燥技術的現行機型推出。
研磨後的清洗使用一體化的 Desica 清洗機。採用晶圓完全浸泡狀態下進行馬蘭哥尼蒸氣乾燥的方式，幾乎消除水痕缺陷，並大幅減少微粒汙染。
終點偵測與輪廓控制配備 FullVision XE 與 RTPC XE，以寬頻光譜或霍爾效應渦電流感測器，控制介電膜・金屬膜各 CMP 的停止。藉由在研磨墊上設置窗口的專利技術，可在不降低產能的情況下即時控制所有晶圓。