軟錯誤（soft error）是從宇宙降下的輻射，或封裝材料所含少量放射性物質發出的輻射打到半導體晶片，使記憶體或鎖存電路中記錄的0與1暫時反轉的錯誤。晶片本身沒有損壞，因此重新寫入資料就會恢復。這一點與電路實體損壞的硬錯誤（hard error）有所區別。
造成軟錯誤的輻射主要有2種。一種是封裝與焊料材料所含極微量的鈾與釷發出的 α 粒子。另一種是宇宙射線與大氣碰撞產生的中子，也會降到地面，在高海拔處或飛機上更多。輻射通過矽時會產生電荷，若電荷量大到足以抵銷記憶中的電荷，位元就會反轉。微縮使記憶的電荷變小，即使少量電荷也容易反轉。
軟錯誤的發生率以每10億小時發生幾次的 FIT 評估，JEDEC 規格（JESD89）訂有試驗方法。對策包括：使用 α 粒子少的材料（低 α 焊料與封膠材料）；在 SRAM 與 DRAM 加上錯誤更正碼（ECC）；把同一筆資料的位元在實體上分散配置，避免多個位元同時反轉；把重要電路做成3重化並以多數決判定等。在汽車、伺服器與航太用途特別受重視。
