金屬矽化物（Silicide）是金屬與矽反應所形成的化合物（NiSi、CoSi₂、TiSi₂等），形成於源極、汲極及閘極表面，目的在降低接觸電阻與片電阻。在微縮使接觸電阻問題日益嚴重的先進CMOS中，是建立低電阻電性連接的關鍵材料。
代表性製程是以自我對準方式形成矽化物的自我對準金屬矽化物（Salicide：Self-Aligned Silicide）製程。在整面沉積金屬膜並退火後，只有矽露出的部分會反應形成矽化物，再去除未反應的金屬，即可在源極、汲極、閘極上以自我對準方式留下矽化物。
矽化物材料隨著微縮不斷演進。TiSi₂在細線中有電阻上升的問題，經過CoSi₂之後，目前以更薄且電阻更低的NiSi（矽化鎳）為主流。這是與降低接觸電阻（contact resistance）直接相關的重要技術。
製程包括金屬（Ni、Co、Ti等）沉積，以及利用RTA（快速熱退火）進行的反應與穩定化，使用應用材料（Applied Materials）、東京威力科創（TEL）、愛發科（ULVAC）等廠商的設備。搭配Salicide、接觸窗形成、接觸電阻等條目，即可將其理解為接面與導線低電阻化的技術。