最後更新:2026年10月22日檢測・量測中國大陸:X 射线光电子能谱(XPS)

XPS是什麼(X 射線光電子能譜)

X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)

XPS(X 射線光電子能譜)是對試樣表面照射 X 射線,量測飛出的光電子能量,以調查表面存在的元素與其化學狀態的分析方法。從同一元素因結合對象不同而偏移的化學位移,可以知道是否已氧化等。分析範圍是表面數 nm,用於評估介面與清洗後的表面。

目錄6 項
  1. 定義與原理
  2. 圖解
  3. 常見問題
  4. 相關用語
  5. 比較文章
  6. 資料來源

定義與原理

XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy,X 射線光電子能譜)是對試樣表面照射 X 射線,量測飛出的電子(光電子)能量,藉此調查表面有哪些元素、處於什麼化學狀態(與哪些原子結合)的分析方法,也稱為 ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。

接收 X 射線能量的電子,會以扣除被原子束縛的能量(束縛能)後的動能飛出。束縛能依元素而定,因此可以辨識元素。再讀取同一元素因結合對象不同而使束縛能稍微偏移的化學位移,就能區分例如矽是金屬矽還是已氧化的 SiO₂。

光電子在物質中能前進的距離很短,可分析的深度約為表面數 nm。利用這種對表面敏感的特性,用來分析自然氧化層的狀態、閘極氧化層或 High-k 膜與基板介面的化學鍵,以及清洗或蝕刻後表面的汙染與殘留物。一邊以離子逐步削去表面一邊量測,也能得到深度方向的分布,但更深的分布或微量雜質則使用 SIMS。

圖解

從照射 X 射線、光電子飛出、量測能量到辨識元素與化學狀態的 XPS 流程

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深度方向的分布要一邊以離子切削一邊量測求出。

XPS(X 射線光電子能譜)的常見問題

XPS 和 EDX 有什麼不同?
XPS 照射 X 射線、量測射出的光電子,可以知道表面數 nm 的元素與化學鍵狀態。EDX 照射電子束、量測射出的特性 X 射線,可以知道元素種類與含量,但幾乎無法得知化學狀態,分析深度也較深,約1μm。EDX 的優點是能在 SEM 或 TEM 觀察下選擇位置量測。
XPS 和 SIMS 如何區分使用?
想知道化學鍵狀態時使用 XPS。SIMS 是量測以離子切削表面時飛出離子質量的方法,擅長量測 ppm 以下的微量雜質,以及深處的濃度分布。摻雜物的深度分布適合 SIMS,介面的鍵結狀態適合 XPS。

相關設備・材料

比較文章

所屬主題

資料來源

  1. 東麗研究中心(Toray Research Center):X線光電子分光分析法(X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS)(2026年10月19日確認)