為以雷射進行晶圓分割・開槽而開發的全自動設備系列，以自家專利的 V-DOE 將光束分成多道同時加工。
目錄5 項
- 產品概要
- 主要規格
- 主要特點
- 製造商與在台據點
- 資料來源
產品概要
LASER1205 是 ASMPT 集團 ALSI 的雷射切割・開槽系統，可用於半導體晶圓的全切割（full cut），以及在刀片切割前對表層進行溝槽加工的開槽（grooving）。
構成可從 IR 切割、UV Plus 切割、UV 開槽、UV-USP（超短脈衝）開槽中選擇。以使用繞射光學元件的多光束雷射技術，定位精度與再現性不到 1.5µm，熱影響區（HAZ）不到 2µm，以多光束加工 100µm 厚矽時的切割道寬度不到 12µm。
廠商表示，產能比競爭系統最多快 50%。可處理 Si、SiC、GaAs、Ge、DAF、封膠樹脂等，支援晶圓厚度 10～300µm。以線上視覺與切口（kerf）檢查即時監控，並以雙卡匣與清洗站連續運轉。
主要規格
| 雷射方式 | 多光束（V 字型繞射光學元件 V-DOE） |
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| 對應晶圓厚度 | 10 ～ 250 μm |
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| 對應材料 | Si・GaAs・Ge・SiC（IR 機種針對非 Si 材料） |
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| 定位精度 | 不到 1.5 μm |
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| 主要用途 | 功率・IC・記憶體的薄晶圓切割／開槽 |
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規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
定位精度不到 1.5µm、HAZ 不到 2µm、切割道寬度不到 12µm Si・SiC・GaAs・DAF・封膠等多種材料，厚度 10～300µm 主要用途
- 含 Low-k・PI・TEG 晶圓的開槽
- 先進封裝・RFIC・VCSEL・DDI・薄 Si・SiC 的切割