ALSI LASER1205
レーザーによるウェーハの分割・グルービング用に開発されたフルオート装置のファミリー。自社特許の V-DOE でビームを複数に分け、同時に加工する。
ALSI LASER1205とは
LASER1205 は、ASMPT グループの ALSI のレーザーダイシング・グルービングシステムです。半導体ウェーハのフルカットダイシングと、ブレードダイシングの前に表層を溝加工するグルービングの両方に使えます。
構成は IR ダイシング、UV Plus ダイシング、UV グルービング、UV-USP(超短パルス)グルービングから選べます。回折光学素子を使うマルチビームのレーザー技術で、位置精度と再現性は 1.5µm 未満、熱影響領域(HAZ)は 2µm 未満、100µm 厚のシリコンでマルチビーム加工した場合のダイシング幅は 12µm 未満です。
スループットは競合システムより最大 50% 速いとしています。Si、SiC、GaAs、Ge、DAF、モールド樹脂などを扱え、ウェーハ厚は 10〜300µm に対応します。インラインのビジョンとカーフチェックでリアルタイムに監視し、デュアルカセットと洗浄ステーションで連続運転できます。
主な特長
- •IR/UV のマルチビームレーザー(回折光学素子)
- •位置精度 1.5µm 未満、HAZ 2µm 未満、ダイシング幅 12µm 未満
- •競合比最大 50% 高速
- •Si・SiC・GaAs・DAF・モールドなど多材料、厚さ 10〜300µm
主な仕様
| レーザー方式 | マルチビーム(V字型回折光学素子 V-DOE) |
|---|---|
| 対応ウェハ厚 | 10 ~ 250 μm |
| 対応材料 | Si・GaAs・Ge・SiC(IR機は非Si材料向け) |
| 位置決め精度 | 1.5 μm 未満 |
| 主要用途 | パワー・IC・メモリの薄ウェーハダイシング/グルービング |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | DISCODFL7362(ステルスダイシング) | ASMPTALSI LASER1205 | 浜松ホトニクスステルスダイシングエンジン™(SDE) |
|---|---|---|---|
| 主要用途 | 積層フラッシュメモリ向け薄ウェーハの個片化(SDBG) | パワー・IC・メモリの薄ウェーハダイシング/グルービング | MEMS・メモリ・車載パワーデバイスのダイシング |
| レーザー方式 | — | マルチビーム(V字型回折光学素子 V-DOE) | ステルスダイシング(内部改質層形成) |
| 対応材料 | — | Si・GaAs・Ge・SiC(IR機は非Si材料向け) | Si 等(用途別に加工条件を最適化) |
1機種だけが掲載している項目(7件)
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| 加工方式 | ステルスダイシング(内部改質層+テープエキスパンドで分割) | — | — |
| 特徴 | カーフチェック・ウェーハ厚測定機能、ウェーハ/フレーム搬送の兼用 | — | — |
| 対応ウェハ厚 | — | 10 ~ 250 μm | — |
| 位置決め精度 | — | 1.5 μm 未満 | — |
| 製品形態 | — | — | ダイシング装置搭載用のレーザー・光学ユニット |
| 光学系 | — | — | LCOS-SLM 搭載の LBA(Laser Beam Adjuster) |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •Low-k・PI・TEG を含むウェーハのグルービング
- •先端パッケージ・RFIC・VCSEL・DDI・薄 Si・SiC のダイシング
掲載カテゴリ
ALSI LASER1205は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
レーザーダイシング装置のほかの製品
ASMPTのほかの製品
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06