切割・研磨設備（Dicing and Grinding Equipment）是用於將半導體晶圓分割成個別晶片（晶粒）的步驟（切割），以及將晶圓背面薄化的步驟（晶背研磨）之後段製程設備的總稱。兩者的核心都是精密機械加工技術，迪思科（DISCO）在全球市場擁有壓倒性的領導地位。
切割的主要方式為刀片切割（Diamond Blade Dicing）與雷射切割（Laser Dicing）。刀片切割是以嵌有鑽石磨粒的極薄旋轉刀片（厚度 10～100μm）切斷晶圓，是最普遍的方式。雷射切割中，以雷射光在晶圓內部形成加工點再予以裂片的隱形雷射切割（ILD），用於薄型晶圓與微細切割。DBG（Dicing Before Grinding）是先切割再將晶圓薄化的方法，可減少崩邊（chipping），適合製造薄型晶粒。
晶背研磨（Back Grinding：背面研削）是將前段製程完成後的晶圓（通常厚 775μm）從背面研削、研磨，薄化至適合封裝要求或堆疊的厚度（50～300μm，3D IC 用則 <50μm）的步驟。依序進行粗研削（砂輪研削）→精研削→拋光（類似 CMP 的精修）。薄化後的晶圓容易破裂，因此研削過程中以保護膠帶（BG tape）保護晶圓。
隨著先進封裝（3D IC、HBM、小晶片）普及，對超薄晶粒（<30μm）的需求日益提高。超薄晶圓的處理採用「暫時接合至支撐晶圓（Temporary Bonding）→研削→解鍵合（剝離）」的流程，搭配 Brewer Science、3M、信越化學等的暫時接合材料，以及 EV Group、SUSS MicroTec 的解鍵合設備。
切割・研磨設備的主要廠商以迪思科（全球市占約70～80%：DFD・DFG・DAL 系列）居壓倒性領先，其後為東京精密（ACCRETECH：ADM・AWR 系列）。迪思科一貫提供刀片切割、雷射切割、晶背研磨機、CMP 等所有後段製程精密加工設備，深度融入全球半導體晶圓廠的後段製程產線。