雷射切割是在將半導體晶圓切割成個別晶片（晶粒）時，以雷射光取代鑽石刀片進行切割的技術。切口寬度（kerf）可比刀片切割大幅縮小，1片晶圓能取得更多晶片，因此對 SiC・GaAs 等昂貴的化合物半導體晶圓特別能有效提升良率。
隱形切割（Stealth Dicing，SD）作為主要方式已經普及。這是將雷射聚焦於晶圓內部形成改質層後，藉由擴張膠膜將晶圓分離成單顆的方式，可將對表面的熱損傷降到最低。此外，也會運用燒蝕切割（表面雷射照射），或與 DBG（先切割後研磨）組合。
在薄化晶圓（50μm以下）或脆性材料（SiC・GaN）的切割中，刀片造成的崩邊（chipping）・裂紋會成為問題，此時雷射切割的優勢便能發揮。主要設備廠商為迪思科（DISCO）、東京精密（Accretech），濱松光子則擁有隱形切割方式的專利。